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PA1CEThorlabs壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)促動(dong)器(qi) ,壓(ya)電(dian)芯片


產品(pin)簡介(jie)
Thorlabs壓電(dian)陶瓷(ci)促動(dong)器(qi) ,壓(ya)電(dian)芯片亞(ya)微(wei)米(mi)分(fen)辨(bian)率安(an)裝(zhuang)面尺(chi)寸範(fan)圍從0.9 mm x 0.9 mm到(dao)10.0 mm x 10.0 mm可(ke)定制(zhi)尺(chi)寸(cun)
Thorlabs壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)促動(dong)器(qi) ,壓(ya)電(dian)芯片
亞(ya)微(wei)米(mi)分(fen)辨(bian)率
安(an)裝(zhuang)面尺(chi)寸範(fan)圍從0.9 mm x 0.9 mm到(dao)10.0 mm x 10.0 mm
可(ke)定制(zhi)尺(chi)寸(cun)
驅(qu)動(dong)電(dian)壓範(fan)圍為0 - 45 V、0 - 75 V、0 - 100 V或(huo)0 - 150 V
推(tui)薦負載範(fan)圍從13 N(3 lbs)到(dao)1600 N(360 lbs)
用於開(kai)環(huan)實驗裝置(zhi)
許多(duo)芯片提(ti)供(gong)預(yu)連導(dao)線(xian)選(xuan)項(xiang)
非(fei)常(chang)適(shi)合(he)真(zhen)空和OEM應用
半(ban)球(qiu)端帽(mao)和平(ping)面端帽(mao)單(dan)獨提(ti)供(gong)
Thorlabs的壓(ya)電(dian)驅(qu)動(dong)器(qi)由多層(ceng)壓電(dian)陶瓷(ci)組成(cheng),如(ru)右上圖(tu)所(suo)示,在(zai)下面壓(ya)電(dian)芯片和(he)堆棧制(zhi)造中也(ye)有描(miao)述(shu)。堆(dui)疊之前(qian),每(mei)層(ceng)都鍍(du)有(you)電(dian)極(ji),通(tong)過精(jing)密打(da)磨工(gong)藝(yi),使每(mei)個(ge)芯片的高(gao)度公(gong)差優於±5 µm。緊(jin)湊型多層設(she)計(ji)使其(qi)具(ju)備(bei)高(gao)共(gong)振(zhen)頻(pin)率(160 kHz - 1350 kHz)和(he)亞(ya)毫秒級(ji)的響(xiang)應(ying)時間(jian)。
這些(xie)驅(qu)動(dong)器(qi)可(ke)以精(jing)密移(yi)動(dong),產生的自(zi)由行程範(fan)圍(無負載條(tiao)件下(xia))從0.7 µm至6.1 µm 。驅(qu)動(dong)器(qi)預(yu)載最(zui)大(da)位(wei)移負載時,可(ke)以達到(dao)最(zui)大(da)位(wei)移,每(mei)種型號(hao)對(dui)於這點(dian)都有(you)相(xiang)應規(gui)定。每種型號(hao)最(zui)大(da)位(wei)移的實際(ji)值有(you)所(suo)差異(yi),必(bi)須(xu)通(tong)過(guo)實驗確定;但是,最(zui)大(da)位(wei)移始終(zhong)會大(da)於自由行程位(wei)移。
芯片的每(mei)層(ceng)都包含(han)電(dian)極(ji),因為這樣(yang)可(ke)以使驅(qu)動(dong)電(dian)壓最(zui)小(xiao)。我(wo)們(men)的壓(ya)電(dian)芯片具(ju)有三個(ge)驅(qu)動(dong)電(dian)壓範(fan)圍選(xuan)項(xiang):0 - 45 V、0 - 75 V、0 - 100 V或(huo)0 - 150 V。當(dang)應(ying)用對電(dian)壓非(fei)常(chang)敏(min)感(gan)時,請(qing)考(kao)慮(lv)我(wo)們(men)最(zui)大(da)驅(qu)動(dong)電(dian)壓為45 V或(huo)75 V的芯片。對(dui)電(dian)壓不(bu)太(tai)敏(min)感(gan)的應(ying)用,可(ke)考慮(lv)使用100 V和150 V的壓(ya)電(dian)芯片,因為它們(men)的使用壽(shou)命更(geng)長(chang)。
這些(xie)芯片沒(mei)有電(dian)極(ji)的區域鍍有(you)陶瓷(ci)層,用於防潮(chao)。陶瓷(ci)層的防(fang)潮(chao)性(xing)能(neng)比(bi)環(huan)氧樹(shu)脂(zhi)層更(geng)好(hao)。芯片其(qi)余(yu)兩(liang)個(ge)側面印刷網版(ban)銀(yin)電(dian)極(ji),可(ke)從電(dian)極(ji)上施(shi)加(jia)電(dian)壓。正(zheng)極(ji)以銀(yin)色(se)的"+"號(hao)或(huo)壹(yi)個(ge)黑色(se)的點(dian)表示。為了(le)方便(bian)起(qi)見,我們(men)的許多(duo)芯片都配(pei)送兩(liang)側焊接75 mm導(dao)線(xian)的版(ban)本。
為了(le)適應各種負載條(tiao)件,可(ke)為這些(xie)芯片購(gou)置(zhi)平(ping)面陶(tao)瓷或(huo)半(ban)球(qiu)形(xing)陶瓷(ci)端帽(mao)附件。此(ci)外(wai),Thorlabs提(ti)供(gong)錐(zhui)形(xing)端帽(mao),兼容(rong)接觸直徑(jing)為1.5到(dao)7.0 mm的球(qiu)面。如(ru)要了(le)解壓電(dian)驅(qu)動(dong)器(qi)的負載、特殊(shu)操作(zuo)註(zhu)意(yi)事項(xiang)的信(xin)息(xi),以及當(dang)操作(zuo)條(tiao)件已(yi)知時,估(gu)算(suan)這些(xie)驅(qu)動(dong)器(qi)壽(shou)命的數(shu)據(ju),請查(zha)看(kan)工(gong)作(zuo)標(biao)簽(qian)。
可(ke)以定制壓電(dian)芯片的尺(chi)寸(cun)、電(dian)壓範(fan)圍和(he)塗層(ceng)。此(ci)外(wai),我(wo)們(men)支持大(da)批量訂(ding)單(dan)。
Thorlabs壓電(dian)陶瓷(ci)促動(dong)器(qi) ,壓(ya)電(dian)芯片




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DET02AFCThorlabs矽(gui)探測(ce)器(qi) S120CThorlabs標(biao)準光電(dian)二極(ji)管(guan)功率探頭(tou) CFC5A-AThorlabs光(guang)纖(xian)準直器(qi) VISNIR SERIESClydeHSI 高(gao)光(guang)譜(pu)成(cheng)像(xiang)相(xiang)機