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        1. 產(chan)品中(zhong)心

          PRODUCTS CENTER

          當前(qian)位(wei)置(zhi):首頁產品中(zhong)心光(guang)學(xue)元件濾(lv)光(guang)片(pian)FPQFA-8可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          產品簡(jian)介(jie)

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通
          Thorlabs的(de)FPQFA系列可調(tiao)諧(xie)窄(zhai)帶(dai)通法布裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器非常(chang)適合(he)用來(lai)過濾(lv)0.1 nm(針(zhen)對1 μm波長的(de)激光(guang)器)左右的(de)窄(zhai)波長範圍內或30 GHz自(zi)由(you)光(guang)譜範圍(FSR)內的(de)弱(ruo)光(guang)發射(she)光(guang)譜。

          產品型號(hao):FPQFA-8
          更(geng)新時(shi)間:2026-01-08
          廠(chang)商(shang)性質(zhi):代(dai)理(li)商(shang)
          訪(fang)問(wen)量(liang):1414
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          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          特點:

          工作(zuo)波長範圍:550 nm - 845 nm845 nm - 1300 nm

          量(liang)子(zi)發射(she)器(qi)的(de)光(guang)譜表(biao)征

          自(zi)由(you)光(guang)譜範圍(FSR)30 GHz

          透(tou)過率(lv):>80%,適合(he)低(di)強(qiang)度光(guang)譜探(tan)測

          精細度:>300

          分辨率(lv):< 100 MHz

          平凹腔反射(she)鏡(jing)間(jian)距:5 mm


          Thorlabs的(de)FPQFA系列(lie)可調(tiao)諧(xie)窄(zhai)帶(dai)通法布裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器非常(chang)適合(he)用來(lai)過濾(lv)0.1 nm(針(zhen)對1 μm波長的(de)激光(guang)器)左右的(de)窄(zhai)波長範圍內或30 GHz自(zi)由(you)光(guang)譜範圍(FSR)內的(de)弱(ruo)光(guang)發射(she)光(guang)譜。法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器基(ji)於(yu)兩塊(kuai)高(gao)反射(she)率(lv)反射(she)鏡(jing)(壹塊(kuai)平面反射(she)鏡(jing),壹(yi)塊(kuai)球(qiu)面凹面鏡(jing))組成(cheng)的(de)非共焦(jiao)腔。腔體可以(yi)透(tou)過的(de)特定頻率的(de)光(guang),使用壓(ya)電換能(neng)器(qi)調(tiao)節(jie)反射(she)鏡(jing)間(jian)距即可調(tiao)諧(xie)頻率,此濾(lv)光(guang)器鍍(du)有光(guang)學(xue)薄膜,用(yong)於(yu)550 - 845 nm(FPQFA-5)和(he)845 nm - 1300 nm(FPQFA-8)的(de)波長範圍,這是金(jin)剛(gang)石(shi)和(he)InGaAs量(liang)子(zi)點3Si1和(he)NV2中心光(guang)致發光(guang)光(guang)譜的(de)典型範圍。濾(lv)光(guang)器的(de)透(tou)過率(lv)>80%FSR為(wei)30 GHz,分辨率(lv)< 100 MHz,很適(shi)合(he)研究(jiu)弱(ruo)光(guang)量(liang)子(zi)發射(she)器(qi)的(de)精細光(guang)譜結構(gou)。

          濾(lv)光(guang)器結(jie)構(gou)緊(jin)湊(cou),鋁(lv)質(zhi)外殼長32 mm,入(ru)射(she)和(he)出(chu)射(she)口(kou)都(dou)有SM05螺紋(wen)。兩塊腔反射(she)鏡(jing)由(you)紫外熔融石(shi)英制成,間(jian)距為(wei)5 mm,采用(yong)隔(ge)熱外殼,可消除(chu)因溫(wen)度波動可能(neng)產(chan)生的(de)移(yi)位(wei)。濾(lv)光(guang)器配有BNC接頭(tou)的(de)電線,用於(yu)控(kong)制壓(ya)電器(qi)件。外殼上的(de)對焦(jiao)槽指示法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)腔中(zhong)平(ping)面反射(she)鏡(jing)的(de)位置。

          共焦(jiao)腔相(xiang)比,此濾(lv)光(guang)器的(de)平凹腔設計(ji)可以(yi)實現更(geng)小的(de)反射(she)鏡(jing)間(jian)距(大(da)FSR),更(geng)高(gao)的(de)性能(neng)(zui*優(you)精細度、分辨率(lv)和(he)透(tou)射(she)率(lv))。例如(ru),濾(lv)光(guang)器具有>80%的(de)諧(xie)振(zhen)透(tou)過率(lv),能(neng)夠(gou)抑(yi)制通常(chang)高(gao)於(yu)-30 dB的(de)光(guang),如圖所(suo)示。諧(xie)振(zhen)峰之(zhi)間(jian)為(wei)30 GHz的(de)自(zi)由(you)光(guang)譜範圍(FSR),其根(gen)據FSR = c/2d(其中(zhong)腔長(chang)d = 5 mm)得(de)出(chu)。

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器在30 GHz FSR內透(tou)過基(ji)波諧(xie)振(zhen)腔模(mo)式(shi),抑(yi)制通常(chang)高(gao)於(yu)-30 dB的(de)非諧(xie)振(zhen)模(mo)式(shi),不(bu)包括(kuo)高(gao)階(jie)模(mo)式(shi)。基波峰右側的(de)高(gao)階(jie)模(mo)式(shi)受到(dao)高(gao)度抑(yi)制,但(dan)在此測量(liang)中(zhong)仍(reng)會(hui)透(tou)過;它(ta)們(men)的(de)幅度很(hen)大(da)程(cheng)度上(shang)取決於(yu)模式(shi)匹(pi)配的(de)質(zhi)量(liang)


          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          參數:

          可調(tiao)諧(xie)法布(bu)裏-珀(po)羅(luo)濾(lv)光(guang)器,窄(zhai)帶(dai)通

          References

          1.Lindner, S. et al. Strongly Inhomogeneous Distribution of Spectral Properties of Silicon-Vacancy Color Centers in Nanodiamonds. New J. Phys. 2018, 20, 115002.

          2.Savvin, A., Dormidonov, A., Smetanina, E. et al. NV– Diamond Laser. Nat Commun 12, 7118 (2021).

          3.Dey, A.B., Sanyal, M.K., Farrer, I. et al. Correlating Photoluminescence and Structural Properties of Uncapped and GaAs-Capped Epitaxial InGaAs Quantum Dots. Sci Rep 8, 7514 (2018).




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