產品(pin)簡(jian)介(jie)

Thorlabs電光調制(zhi)器，自(zi)由(you)空(kong)間型(xing)和(he)相(xiang)位(wei)鈮酸(suan)鋰(li)調制(zhi)器是我們在(zai)晶(jing)體(ti)生(sheng)長(chang)和(he)電光材(cai)料方(fang)面經(jing)驗的結晶(jing)。我們的(de)電光調制(zhi)器使用摻(chan)氧(yang)化(hua)鎂(mei)的鈮(ni)酸(suan)鋰(li)，用於(yu)高(gao)功(gong)率工作(zuo)。調制器(qi)有(you)壹(yi)個SMA RF輸(shu)入(ru)端(duan)，直接(jie)兼容我們(men)的(de)HVA200高壓放(fang)大(da)器(qi)(請(qing)見下(xia)方(fang))。我們(men)提供寬帶DC耦合和(he)高(gao)Q共(gong)振型(xing)號(hao)。

電光調制(zhi)器，自(zi)由(you)空(kong)間型(xing)

特(te)性(xing)

• 高性(xing)能(neng)，緊(jin)湊(cou)封裝(zhuang)

• 寬帶DC耦合或高Q共(gong)振

• 2 mm直(zhi)徑(jing)通(tong)光孔徑(jing)

• 摻(chan)氧化鎂的鈮酸鋰(li)晶體(ti)

• SMA RF調制輸(shu)入(ru)接頭

• DC到100 MHz

• 提供定制OEM版(ban)本(ben)

DC耦合寬帶調制器

我(wo)們(men)的寬(kuan)帶電光調制(zhi)器由(you)壹(yi)個封裝(zhuang)在(zai)外(wai)殼內的(de)電光晶體(ti)構(gou)成，並經(jing)過優(you)化(hua)達(da)到J較好(hao)的射(she)頻(pin)性(xing)能(neng)。射(she)頻(pin)驅(qu)動信號(hao)通過SMA RF接(jie)頭(tou)直接連接電光晶體(ti)。由外(wai)部(bu)射(she)頻(pin)驅(qu)動器提供調制(zhi)要求的驅(qu)動電壓。電光晶體(ti)的調制(zhi)範(fan)圍可(ke)以從(cong)直(zhi)流到(dao)外(wai)部(bu)射(she)頻(pin)驅(qu)動器的(de)頻(pin)率極(ji)限(xian)。關於放(fang)大(da)器(qi)要(yao)求的相關信息(xi)，請看(kan)規格(ge)標(biao)簽。這(zhe)些(xie)寬(kuan)帶振幅和(he)相(xiang)位(wei)調制(zhi)器(qi)可(ke)選(xuan)-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜(mo)。

高(gao)Q共(gong)振調(tiao)制(zhi)器(qi)

共(gong)振電光調制(zhi)器以固(gu)定頻率工作(zuo)，Thorlabs的設計中(zhong)包(bao)含高Q共(gong)振電路。相(xiang)比(bi)寬帶電光調制(zhi)器，共(gong)振電光調制(zhi)器顯(xian)著(zhu)降(jiang)低了(le)工作(zuo)電壓。我們(men)共(gong)振調(tiao)制(zhi)器(qi)可選(xuan)振幅和(he)相(xiang)位(wei)調制(zhi)版(ban)本(ben)，以20 MHz工作(zuo)，鍍有(you)-C1增透膜(mo)(600 – 900 nm)。關於鍍膜(mo)反射率的詳(xiang)細信息(xi)，請看(kan)曲線(xian)標簽。我們(men)提供標準(zhun)和(he)定制鍍(du)膜(mo)選(xuan)項(xiang)，用戶還可選(xuan)從(cong)0.1到(dao)100 MHz的共(gong)振頻(pin)率。

電光調制(zhi)器，自(zi)由(you)空(kong)間型(xing)

電光振幅調制(zhi)器(qi)

電光振幅調制(zhi)器(qi)(EO-AM)是壹(yi)種(zhong)普(pu)克(ke)爾(er)盒型(xing)調(tiao)制(zhi)器(qi)，由封裝(zhuang)在(zai)緊(jin)湊(cou)外(wai)殼中(zhong)的(de)兩(liang)個匹(pi)配鈮(ni)酸鋰(li)晶體(ti)(請看(kan)右(you)圖)組成，外(wai)殼帶射頻輸(shu)入(ru)接頭。對晶體(ti)施加電場(chang)將改變(bian)折(zhe)射率(尋常光和(he)非(fei)尋(xun)常(chang)光)，產生(sheng)電場(chang)相關的雙折射(she)效(xiao)應(ying)，以此改變(bian)光束的偏(pian)振(zhen)態(tai)。電光晶體(ti)相當(dang)於壹(yi)個可(ke)變波(bo)片(pian)，其(qi)延(yan)遲量與(yu)施加電場(chang)成線(xian)性(xing)關系。在(zai)輸(shu)出端(duan)放(fang)置壹(yi)個線(xian)偏振(zhen)片(pian)，通過偏(pian)振(zhen)片(pian)的光束強度將隨施加電壓的線(xian)性(xing)變化(hua)而(er)發(fa)生(sheng)正(zheng)弦變(bian)化。

請註意，工作(zuo)在(zai)-C4波(bo)段(duan)(400 - 600 nm)的AM調(tiao)制器(qi)僅用於(yu)幾(ji)赫茲(zi)以上(shang)的(de)AC調制(zhi)。摻氧化鎂的鈮(ni)酸鋰(li)對這(zhe)個波(bo)長(chang)範(fan)圍的光敏感(gan)，對施加的DC電場(chang)顯示出緩(huan)慢(man)的負壓。光越強(qiang)，DC場(chang)消除得越(yue)快(kuai)。因(yin)此，實(shi)際(ji)上(shang)，DC電壓不(bu)能(neng)用於(yu)在(zai)要(yao)求(qiu)的(de)工作(zuo)點(dian)給(gei)調制(zhi)器施加偏壓。但是(shi)，可(ke)以使用可(ke)調(tiao)波(bo)片(pian)在(zai)需(xu)要(yao)的(de)工作(zuo)點(dian)給(gei)調制(zhi)器施加光學偏(pian)置(關於調制器(qi)偏(pian)置的詳(xiang)細信息(xi)，請看(kan)實驗(yan)觀測標(biao)簽)。

電光相位(wei)調制(zhi)器(qi)

我(wo)們的(de)電光相位(wei)調制(zhi)器(qi)能(neng)夠(gou)對(dui)線(xian)偏振(zhen)入(ru)射光提供可調(tiao)相位(wei)差(cha)。入射(she)光沿(yan)豎(shu)直(zhi)方(fang)向線(xian)偏振(zhen)，即(ji)晶(jing)體(ti)的Z軸方(fang)向。通(tong)過RF輸(shu)入(ru)端(duan)在(zai)Z軸(zhou)電極(ji)上(shang)施加電壓，使晶體(ti)的非(fei)尋(xun)常(chang)光折射(she)率發(fa)生(sheng)變(bian)化，以此使光信號(hao)產生(sheng)相(xiang)位(wei)差(cha)。

控(kong)制信號(hao)可以是DC或隨時(shi)間變化的RF信號(hao)。當(dang)控(kong)制電壓信號(hao)隨時(shi)間變化，光束將受到頻率調制，部(bu)分基(ji)頻(pin)能(neng)量將轉(zhuan)到邊(bian)帶中(zhong)，邊(bian)帶與基(ji)頻(pin)間隔是調制(zhi)頻率的整(zheng)數倍(bei)。轉(zhuan)到邊(bian)帶的能(neng)量大(da)小由調(tiao)制深度決定。右(you)圖展(zhan)示了(le)邊(bian)帶的相對強(qiang)度和(he)調(tiao)制(zhi)深度的(de)關系。

共(gong)振電光調制(zhi)器

我(wo)們(men)共(gong)振電光調制(zhi)器具(ju)有(you)高(gao)Q值(zhi)，可(ke)用標(biao)準(zhun)的實驗(yan)室函(han)數發(fa)生(sheng)器(qi)驅動。調制(zhi)器(qi)中(zhong)的(de)高Q值(zhi)共(gong)振儲(chu)能(neng)電路可(ke)以將標準(zhun)函(han)數發(fa)生(sheng)器(qi)的低水平(ping)RF輸(shu)入(ru)電壓轉(zhuan)成取得全調(tiao)制(zhi)深度要(yao)求的(de)高電壓。這(zhe)樣使得半波(bo)驅(qu)動電壓在(zai)633 nm處(chu)只有(you)15 V。

共(gong)振調(tiao)制(zhi)器(qi)可選(xuan)相位(wei)和(he)振(zhen)幅調制(zhi)版(ban)本(ben)，工作(zuo)頻率20 MHz，帶寬1 MHz。它們(men)具有(you)用於(yu)600到(dao)900 nm的(de)C1膜(mo)。我(wo)們(men)也(ye)可以提供定制服務，用戶可選(xuan)從(cong)0.1到(dao)100 MHz的共(gong)振頻(pin)率和(he)各(ge)種(zhong)增透膜(mo)。